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Dual, SiGe, High-Linearity, 1200MHz to 2000MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer/Switch
Typical Operating Characteristics (continued)
( Typical Application Circuit optimized for the Standard RF Band (see Table 1) . V CC = 5.0V, f RF = 1200MHz to 1700MHz, LO is
high-side injected for a 350MHz IF, P RF = -5dBm, P LO = 0dBm, T C = +25°C, unless otherwise noted.)
16
INPUT P 1dB vs. RF FREQUENCY
16
INPUT P 1dB vs. RF FREQUENCY
16
INPUT P 1dB vs. RF FREQUENCY
V CC = 5.25V
15
14
T C = +85°C
15
14
15
14
V CC = 5.0V
13
12
T C = -40°C
T C = +25°C
13
12
P LO = -6dBm, -3dBm, 0dBm, +3dBm
13
12
V CC = 4.75V
11
11
11
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1200
1300
1400
1500
1600
1700
60
55
50
45
RF FREQUENCY (MHz)
CHANNEL ISOLATION vs. RF FREQUENCY
60
55
50
45
RF FREQUENCY (MHz)
CHANNEL ISOLATION vs. RF FREQUENCY
60
55
50
45
RF FREQUENCY (MHz)
CHANNEL ISOLATION vs. RF FREQUENCY
40
T C = -40°C, +25°C, +85°C
40
P LO = -6dBm, -3dBm, 0dBm, +3dBm
40
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
35
35
35
30
1200
1300
1400
1500
1600
1700
30
1200
1300
1400
1500
1600
1700
30
1200
1300
1400
1500
1600
1700
-20
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
-20
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
-20
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
-25
-25
P LO = +3dBm
-25
V CC = 5.25V
-30
-35
T C = +85°C
-30
-35
P LO = 0dBm
-30
-35
-40
-45
T C = +25°C
T C = -40°C
-40
-45
P LO = -3dBm
P LO = -6dBm
-40
-45
V CC = 4.75V
V CC = 5.0V
-50
-50
-50
1550
1650
1750
1850
1950
2050
1550
1650
1750
1850
1950
2050
1550
1650
1750
1850
1950
2050
LO FREQUENCY (MHz)
LO FREQUENCY (MHz)
LO FREQUENCY (MHz)
9
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